从Wolfspeed角度看SiC MOSFET功率器件牢靠性以知足特定使用哀求
– 假设 MOSFET 开首时没有任何 BPD，则堆垛层错不会成核和孕育，也不会爆发双极退化
– 运气的是，大无数或全豹毛病都爆发正在 ~100 小时 BDOL 压力内
• TDDB 测试与温度和电压的相合，用于修筑由 Joe McPherson（德州仪器牢靠性研商员）颁发的预测寿命模子：热化学模子 - 与Si MOSFET 运用的模子肖似！
- 正在肖似的电场下，平面MOSFET上的碳化硅栅极氧化物牢靠性与Si MOSFET相当
• 关于 Wolfspeed MOSFET，物理毛病分解剖明，毛病是有源区的栅极氧化物击穿，正在氧化物电场最高的 JFET 间隙中
• SiC 的 THB 加快因子尚未确定，但它们或者与 Si 器件的加快因子宛如，由于金属和电介质宛如：
• SiC 功率器件与 Si 功率器件比拟，另有少许奇异的牢靠性推敲成分
• 胜利的产物认证和现场牢靠性剖明牢靠性科学正正在得到功能，而且 SiC 已绸缪好用于高牢靠性使用的大宗量创制——他日即是现正在！
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